products

Параллель 4Мб 10нс ТСОП44 электронных интегральных схема СРАМ ИС61ВВ25616БЛЛ-10ТЛИ асинхронная

Основная информация
Сертификация: Original Parts
Номер модели: IS61WV25616BLL-10TLI
Количество мин заказа: 1 часть
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: 10cm x 10cm x 5cm
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 500-2000пкс в месяц
Подробная информация
Товар Но.: IS61WV25616BLL-10TLI Тип памяти: Испаряющий
формат памяти: SRAM Размер памяти: Размер памяти
Высокий свет:

Интегральные IC

,

электронный обломок IC


Характер продукции

 

ИК ОТКАЛЫВАЕТ обломок ИК памяти СРАМ ИС61ВВ25616БЛЛ-10ТЛИ - асинхронную параллель 10нс ТСОП44 ИК 4Мб памяти

 

 

ОСОБЕННОСТИ:

 

БЫСТРЫЙ ХОД: (ИС61/64ВВ25616АЛЛ/БЛЛ)

• Высокоскоростное время выборки: 8, 10, 20 нс

• Низкая активная сила: 85 мВ (типичное)

• Низкая резервная сила: положение боевой готовности 7 мВ (типичного) КМОС

НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ: (ИС61/64ВВ25616АЛС/БЛС)

• Высокоскоростное время выборки: 25, 35, 45 нс

• Низкая активная сила: 35 мВ (типичное)

• Низкая резервная сила: 0,6 положения боевой готовности мВ (типичных) КМОС

• Одиночное электропитание

ДД 1.65В в к 2.2В (ИС61ВВ25616Акскс)

ДД 2.4В в к 3.6В (ИС61/64ВВ25616Бкскс)

• Полностью статическая деятельность: никакие часы или не освежают необходимое

• 3 государственных выхода

• Контроль данных для верхних и более низких байт

• Промышленная и автомобильная поддержка температуры

• Неэтилированное доступное

ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ БЛОК-СХЕМА:

ОПИСАНИЕ

ИССИ ИС61ВВ25616Акскс/Бкскс и ИС64ВВ25616Бкскс

высокоскоростны, 4 194 304 штосселя бита статических организованного как 262 144 слова 16 битами. Технология КМОС изготовленных усингИССИ высокопроизводительная. Этот сильно надежные про- сесс соединенные с новаторскими методами расчета цепи,

выходы высокопроизводительные и недостатки потребления низкой мощности де-.

 

Когда КЭ ВЫСОК (отсеиванный), прибор принимает режим ожидания на который диссипацию силы можно уменьшить вниз с уровнями входного сигнала КМОС.

 

Легкое расширение памяти обеспечено путем использование обломока позволяет и вывести наружу включите входные сигналы, КЭ и ОЭ. Активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ пишет включает сочинительство управлениями (WE) и и чтение памяти. Байт данных позволяет верхнему байту (UB) и более низкому доступу (LB) байта.

 

ИС61ВВ25616Акскс/Бкскс и ИС64ВВ25616Бкскс упакованы в типе ИИ штыря ТСОП стандарта 44 ДЖЭДЭК и 48 прикалывают мини БГА (6мм кс 8мм).

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)

ВДД = 3.3В + 5%

 

Символ Параметр Условия испытаний Минимальный. Макс. Блок
ВОХ Высокое напряжение выхода ВДД = МИН., ИОХ = – 4,0 мамы 2,4 В
ВОЛ Низшее напряжение выхода ВДД = МИН., ИОЛ = 8,0 мамы 0,4 В
ВИХ Высокое напряжение входного сигнала   2 ВДД + 0,3 В
ВИЛ Низшее напряжение входного сигнала (1)   – 0,3 0,8 В
ИЛИ Входная утечка £ В ГНДВДД £ В – 1 1 µА
ИЛО Утечка выхода ДД £ в £ В ГНДВНЕ, выведенные из строя выходы – 1 1 µА

Примечание:

1. ВИЛ (минимальный) = – ДК 0.3В; ВИЛ (минимальный) = – АК 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">

ВИХ (максимальное) = в ДКДД + 0.3В; ВИХ (максимальное) = в АКДД + 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">

 

 

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)

ВДД = 2.4В-3.6В

 

Символ Параметр Условия испытаний Минимальный. Макс. Блок
ВОХ Высокое напряжение выхода ВДД = МИН., ИОХ = – 1,0 мамы 1,8 В
ВОЛ Низшее напряжение выхода ВДД = МИН., ИОЛ = 1,0 мамы 0,4 В
ВИХ Высокое напряжение входного сигнала   2,0 ВДД + 0,3 В
ВИЛ Низшее напряжение входного сигнала (1)   – 0,3 0,8 В
ИЛИ Входная утечка £ В ГНДВДД £ В – 1 1 µА
ИЛО Утечка выхода ДД £ в £ В ГНДВНЕ, выведенные из строя выходы – 1 1 µА

Примечание:

1. ВИЛ (минимальный) = – ДК 0.3В; ВИЛ (минимальный) = – АК 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">

ВИХ (максимальное) = в ДКДД + 0.3В; ВИХ (максимальное) = в АКДД + 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">

 

 

ХАРАКТЕРИСТИКИ ДК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)

ВДД = 1.65В-2.2В

 

Символ Параметр Условия испытаний ВДД Минимальный. Макс. Блок
ВОХ Высокое напряжение выхода ИОХ = -0,1 мамы 1.65-2.2В 1,4 В
ВОЛ Низшее напряжение выхода ИОЛ = 0,1 мамы 1.65-2.2В 0,2 В
ВИХ Высокое напряжение входного сигнала   1.65-2.2В 1,4 ВДД + 0,2 В
ВИЛ (1) Низшее напряжение входного сигнала   1.65-2.2В – 0,2 0,4 В
ИЛИ Входная утечка £ В ГНДВДД £ В – 1 1 µА
ИЛО Утечка выхода ДД £ в £ В ГНДВНЕ, выведенные из строя выходы – 1 1 µА

Примечание:

1. ВИЛ (минимальный) = – ДК 0.3В; ВИЛ (минимальный) = – АК 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">

ВИХ (максимальное) = в ДКДД + 0.3В; ВИХ (максимальное) = в АКДД + 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">

УСЛОВИЯ ИСПЫТАНИЙ АК

 

Параметр Блок Блок Блок
  (2.4В-3.6В) (3.3В +10%) (1.65В-2.2В)
ИньпутПульсеЛевел 0Вто3В 0Вто3В 0Вто1.8В
Подъем входного сигнала и времена падения 1V/ нс 1V/ нс 1V/ нс
АндРеференсеЛевел ИньпутандОутпутТиминг (Реф в) 1.5В 1.5В 0.9В
ОутпутЛоад См. диаграммы 1 и 2 См. диаграммы 1 и 2 См. диаграммы 1 и 2

Контактная информация
Karen.