products
Главная страница > Продукция> Микросхема памяти драхмы> Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

GDDR6 Internal Memory Ram SAMSUNG 8G Memory Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA
GDDR6 Internal Memory Ram SAMSUNG 8G Memory Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA
Основная информация
Сертификация: ORIGINAL
Номер модели: К4З80325БК-ХК16
Количество мин заказа: 10pcs
Цена: Negociation
Упаковывая детали: поднос, 15км кс 15км кс 10км
Время доставки: 3-5days
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 3160пкс
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Товар Но.: К4З80325БК-ХК16 Память Дениты: 8G
Орг.: 256Мкс32 Пакет: FBGA
Высокий свет:

динамическое оперативное запоминающее устройство

,

оперативная память ик

Характер продукции

Хранение ФБГА-памяти К4З80325БК-ХК16 ГДДР6 САМСУНГ 8Г 256С32М

 

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6 0

 

ГДДР6 поддерживает самый широкий диапозон применения, от акселераторов для высокопроизводительных вычислений, к рабочим местам, консолям и ноутбукам,
предложение исключительных силы, ширины полосы частот и плотности сочетания из в индустрии.

 

 

Спецификация:

 

Плотность

 8Гб Орг. 256М кс 32
Скорость 16,0 Гбпс Освежите 16K / госпожа 32
Пакет 180ФБГА Состояние продукта Образец

тег:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Контактная информация
Karen.
Больше Микросхема памяти драхмы
Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Контакт
продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

Контакт
Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Контакт
7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

Контакт
МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

Контакт
Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Контакт
Оперативная память Х9ККННН8ДЖТАЛАР 8Гб для хранения настольных компьютеров ЛПДДР3 БГА178

Оперативная память Х9ККННН8ДЖТАЛАР 8Гб для хранения настольных компьютеров ЛПДДР3 БГА178

Контакт