Управление целостности, солидарность и взаимные помощь, нововведение и изменение, прагматизм и эффективность.

Главная страница
продукты
О нас
Экскурсия по заводу
Качество управления
связаться с нами
Отправить запрос
Главная ПродуктыМикросхема памяти драхмы

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

хорошее качество Процессоры К.П.У. ноутбука для сбываний
Хороший поставщик и хорошее качество. Надежда мы можем объединить следующее время!

—— Технология Самуал-Делке

все части хороши. спасибо.

—— Пантелеев Валера

части 100% новое! Супер!

—— 정훈 공 - Конг

К.П.У., НАБОР МИКРОСХЕМ хорошее квлиты и хорошая цена.

—— Генри Tan

Оставьте нам сообщение

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Китай Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200 поставщик

Большие изображения :  Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Подробная информация о продукте:

Сертификация: Original Parts
Номер модели: Х9ХКННН4КММЛХР

Оплата и доставка Условия:

Количество мин заказа: 1 пакет
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: 10cm x 10cm x 5cm
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 6000pcs в месяц
Contact Now
Подробное описание продукта
Номер товара: Х9ХКННН4КММЛХР Пакет: BGA200
Орг.: X16 Плотность: 4GB
ВОЛ.:: 1.8В-1.1В-0.6В Скорость: L/M

Хранение микросхемы памяти микросхемы памяти Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб ЛПДДР4 БГА200 ДРАХМЫ микросхемы памяти ДРАХМЫ

 

 

Особенности:

ВДД1 = 1.8В (1.7В к 1.95В)
· ВДД2 и ВДДКА = 1.1В (1.06В к 1.17В)
· ВДДК = 0.6В (0.57В к 0.65В)
· ДК прекращенное ВССК сигнализирует (ДК, ДКС_т, ДКС_к, ДМИ)
· Одиночная архитектура тарифа данных для команды и адреса;
  - все контроль и адрес заперли на задвижку на поднимая крае часов
· Двойная архитектура тарифа данных для шины данных;
  - 2 доступа к данным в такт
· Входные сигналы дифференциальных часов (КК_т, КК_к)
· Двухнаправленный дифференциальный строб данных (ДКС_т, ДКС_к)
  - Сделка данным по источника одновременная выровняла к двухнаправленному дифференциальному стробу данных (ДКС_т, ДКС_к)
· Поддержка штыря ДМИ для пишет данные маскируя и функциональность ДБИдк
· Программабле РЛ (прочитанная латентность) и ВЛ (напишите латентность)
· Длина взрыва: 16 (дефолт), 32 и наое ходу
  - На лету режим позволен ГОСПОЖОЙ
· Автомобиль освежает и собственная личность освежает поддержанный
· Все кренят автомобиль освежают и направили в автомобиль банка освежают поддержанный
· Автоматическое ТКСР (собственная личность компенсированная температурой освежает)
· ПАСР (частично собственная личность массива освежает) маской банка и маской этапа
· Тарировка предпосылки ЗК
Технические характеристики изделия
Номер детали.

 Ð¡Ð ÐÐ’НИТЕ

Вертеп.

 

Орг.

 

ВОЛ.

 

Скорость

 

Сила

 

ПАКЕТ

 

Состояние продукта

 

Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб кс16 1.8В-1.1В-0.6В L / М Низкая мощность 200 Массовое производство
Х9ХКННН4КУМЛХР 4Гб кс16 1.8В-1.1В-1.1В L / М Низкая мощность 200 Массовое производство
Х9ХКННН8КУМЛХР 8Гб кс16 1.8В-1.1В-1.1В L / М Низкая мощность 200 Массовое производство
Х9ХКНННБКММЛХР 16Гб кс16 1.8В-1.1В-0.6В M / Э Низкая мощность 200 Массовое производство
Х9ХКНННБКУМЛХР 16Гб кс16 1.8В-1.1В-1.1В M / Э Низкая мощность 200 Массовое производство
Х9ХКНННБПУМЛХР 16Гб кс16 1.8В-1.1В-1.1В L / М Низкая мощность 200 Массовое производство
Х9ХКНННКПММЛХР 32Гб кс16 1.8В-1.1В-0.6В M / Э Низкая мощность 200 Массовое производство
Х9ХКНННКПУМЛХР 32Гб кс16 1.8В-1.1В-1.1В M / Э Низкая мощность 200 Массовое производство

 

Скорость
Номер детали Скорость
Л 3200Мбпс
М 3733Мбпс

 

Контактная информация
Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Контактное лицо: Karen.

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)