products

Внешняя 4гб оперативная память ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д (128 слов кс 32биц) ГДДР5 СГАРМ

Основная информация
Сертификация: ORIGINAL PARTS
Номер модели: ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д
Количество мин заказа: 1пакаге
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: пакет подноса, 1440/бокс
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Подробная информация
Товар Но.: ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д Максимальный ход часов (МХз): 7000
(Сдержанная) ширина адресной шины: 18 тип nterface: ПОД_15
температуры: 0~95 Ранг температуры поставщика: Коммерчески
Монтаж: Поверхностного монтажа Размер: 14С12С0.75
Высокий свет:

компьютерная микросхема драхмы

,

оперативная память ик


Характер продукции

Биты 4Г ГДДР5 СГАРМ микросхемы памяти ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д драхмы (128 слов кс 32биц)
СГРАМ - параллель 1.75ГХз 170-ФБГА ИК 4Гб памяти ГДДР5 (128М кс 32) (12кс14)
 
 
 
Основное описание:
 
Номер деталя ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д
 
МФГ  МИКРОН
 
Упаковка  ПАКЕТ ПОДНОСА
 
Атрибуты продукта    
Категории Интегральные схемаы (ICs)  
Память  
ЕС РоХс  Жалоба  
ЭККН (США)  ЭАР99  
Упаковка  Поднос   
Состояние части Устарелый  
Тип памяти Испаряющий  
Формат памяти РАМ  
Технология СГРАМ - ГДДР5  
Размер запоминающего устройства 4Гб (128М кс 32)  
Тактовая частота 1,75ГХз  
Номер внутреннего банка  16  
Интерфейс памяти Параллель  
Напряжение тока - поставка 1,31 В | 1,65 В  
Рабочая температура 0°К | 95°К (ТК)  
Тип установки Поверхностный держатель  
Пакет/случай 170-ТФБГА  
Пакет прибора поставщика

170-ФБГА (12кс14)

 
 

 

Технические данные продукта

Внешняя 4гб оперативная память ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д (128 слов кс 32биц) ГДДР5 СГАРМ 0Внешняя 4гб оперативная память ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д (128 слов кс 32биц) ГДДР5 СГАРМ 1

Внешняя 4гб оперативная память ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д (128 слов кс 32биц) ГДДР5 СГАРМ 2

 

 

Контактная информация
Karen.