logo
products
Главная страница > Продукция> dynamic random access memory
Все продукты
контактные данные

Номер телефона : 19166230458

контакт
ключевые слова:

"dynamic random access memory "

match 20 products
Китай Высокая эффективность держателя поверхности микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 драхмы Х5ТК4Г63КФР-РДК завод

Высокая эффективность держателя поверхности микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 драхмы Х5ТК4Г63КФР-РДК

контакт
Китай Микросхема памяти ФБГА170 К4Г10325ФГ-ХК04 1Гб 32Мкс32 ГДДР5 завод

Микросхема памяти ФБГА170 К4Г10325ФГ-ХК04 1Гб 32Мкс32 ГДДР5

контакт
Китай Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКНННБУУМЛХР, Рам памяти 16гб для персонального компьютера ЛПДДР4 БГА200 завод

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКНННБУУМЛХР, Рам памяти 16гб для персонального компьютера ЛПДДР4 БГА200

контакт
Китай Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3 завод

Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

контакт
Китай Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200 завод

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

контакт
Китай ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз завод

ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз

контакт
Китай Микросхема памяти ДРАХМЫ, хранение микросхемы памяти К3РГ3Г30ММ-МГКХ 3гб Лпддр3 завод

Микросхема памяти ДРАХМЫ, хранение микросхемы памяти К3РГ3Г30ММ-МГКХ 3гб Лпддр3

контакт
Китай Хранение оперативной памяти микросхемы памяти Х9ККННН8ГТМЛАР-НТД 8гб Лпддр3 ДРАХМЫ для быстрого хода ноутбука завод

Хранение оперативной памяти микросхемы памяти Х9ККННН8ГТМЛАР-НТД 8гб Лпддр3 ДРАХМЫ для быстрого хода ноутбука

контакт
Китай Держатель в 200МХз 2,4 до 2,7 поверхности Мбит памяти 256 микросхемы памяти СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ДУ561622ФТП-5 завод

Держатель в 200МХз 2,4 до 2,7 поверхности Мбит памяти 256 микросхемы памяти СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ДУ561622ФТП-5

контакт
Китай Хранение памяти микросхемы памяти К4Б4Г1646Э-БКМА 4гб Ддр3 1866мхз 512МБ ДРАХМЫ завод

Хранение памяти микросхемы памяти К4Б4Г1646Э-БКМА 4гб Ддр3 1866мхз 512МБ ДРАХМЫ

контакт
Китай ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик завод

ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

контакт
Китай Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6 завод

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

контакт
1 2