Память ДРАХМЫ Х5ТК4Г63КФР-ПБАР ДДР3 (256МС16, КМОС, ПБГА96) Части ДРАХМА тарифа ИИИ данным по двойника низкой мощности 4Гб (ДДР3Л) одновременная, идеально одетая для применений главной памяти которая требует бо... Read More
К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28, МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ БГА Самсунг ГДДР5 стремительно достигает видео и график-интенсивного представления 3Д, с тарифом данных почти три раза более быстро чем ГДДР3. Спецификации П... Read More
Хранение ФБГА-памяти К4З80325БК-ХК16 ГДДР6 САМСУНГ 8Г 256С32М ГДДР6 поддерживает самый широкий диапозон применения, от акселераторов для высокопроизводительных вычислений, к рабочим местам, консолям и ноутбукам... Read More
Хранение микросхемы памяти микросхемы памяти Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб ЛПДДР4 БГА200 ДРАХМЫ микросхемы памяти ДРАХМЫ Особенности: ВДД1 = 1.8В (1.7В к 1.95В) · ВДД2 и ВДДКА = 1.1В (1.06В к 1.17В) · ВДДК = 0.6В (0.57В к ... Read More
Хранение микросхемы памяти микросхемы памяти Х9ККННН8ДЖТАЛАР 8Гб ЛПДДР3 БГА178 ДРАХМЫ Х9ККННН8ДЖТАЛАР Особенности: [ФБГА] Температура деятельности - -30 ' К | 105' К Паккаге - 178-балл ФБГА - 11.0кс11.5мм2, 1... Read More
Микросхема памяти МТ51ДЖ256М32ХФ-80 драхмы: 8Гб: кс16, кс32 ГДДР5 СГРАМ Детальные спецификации: Плотность 8Гб Название продукта ГДДР5 Состояние части Продукция РоХС Да Глубина 256Мб Ширина кс32 МТ/с 8,0 Гб/с На... Read More
