Все продукты

Чип процессора К.П.У. (47)

Процессоры К.П.У. ноутбука (64)

Процессор настольного компьютера (19)

C.P.U. сервера (15)

Процессоры мобильного устройства (15)

Обломок GPU (20)

Набор микросхем Нортхбридге и Соутхбридге (19)

Микросхема памяти драхмы (23)

Обломок флэш-памяти (16)

Микросхема памяти ССД (13)

Микросхема памяти ЭММК (15)

Память ЭМКП (15)

микросхема памяти ic (10)

хорошее качество Процессоры К.П.У. ноутбука для сбываний

Хороший поставщик и хорошее качество. Надежда мы можем объединить следующее время!

—— Технология Самуал-Делке

все части хороши. спасибо.

—— Пантелеев Валера

части 100% новое! Супер!

—— 정훈 공 - Конг

К.П.У., НАБОР МИКРОСХЕМ хорошее квлиты и хорошая цена.

—— Генри Tan

Оставьте нам сообщение

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Обломок флэш-памяти

(16)

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное
Contact Now

Обломок флэш-памяти, хранение &оригинал памяти БГА-153 4ГБ Нанд ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р внезапное новое Описание: 24нм 128Г ТХГБМ4ТОДБГАИДЖ 64Г ТХГБМ4Г9Д8ГБАИИ 32Г ТХГБМ4Г8Д4ГБАИЭ 16Г ТХГБМ4Г7Д2ГБАИЭ 8Г ТХГБМ4Г6Д2ГБАИ... Read More

2018-09-26 16:51:00

Китай ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная завод

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная
Contact Now

ПАРАЛЛЕЛЬ РАМ 2Г ВСПЫШКИ обломока МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК флэш-памяти 166МХЗ Часть МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6 ОНО Категория Интегральные схемаы (ICs) Название ВСПЫШКА (ics) интегральной схемаы памяти - НАНД, мобил... Read More

2018-09-26 17:00:51

Китай Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в завод

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в
Contact Now

ВСПЫШКА 512М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 63ВФБГА обломока МС30ЛФ1208АА-СКИ ИК НАНД флэш-памяти Технические данные продукта ЕС РоХС Уступчивый ЭККН (США) 3А991.б.1.а Тип клетки СЛК НАНД (Сдержанная) плотность обломока 2Г Архит... Read More

2018-09-26 16:56:17

Китай Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная завод

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная
Contact Now

ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА ВСПЫШКИ 1Г обломока ТК58НВГ0С3ХБАИ4 ИК флэш-памяти Категории Интегральные схемаы (ICs) Память Изготовитель Тошиба Память Америка, Инк. Серия - Упаковка Поднос Состояние части Активный Тип памя... Read More

2018-09-26 16:31:56

Китай Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности завод

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности
Contact Now

Обломок В971ГГ6ДЖБ-18 флэш-памяти, микросхема памяти БГА84 ИК СДРАМ ДДР2 64Мкс16 Особенности Тип ДДР2 СДРАМ Организация кс16 Скорость 1066 МТ/с Напряжение тока 1,8 в Пакет ВБГА-84 В971ГГ6ДЖБ 1Г биты ДДР2 СДРАМ, ... Read More

2018-09-26 16:29:19

Китай Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16 завод

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16
Contact Now

Внезапный обломок К9Ф5608УОД-ПКБО флэш-память НАНД бита 32М Меморры кс 8 бит 16М кс 16 Особенность: Read More

2018-09-26 16:37:21

Китай Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный завод

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный
Contact Now

ДРАХМА обломока ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР флэш-памяти, 128МС8, 0.4нс, КМОС, ПБГА60 Особенности ВДД = 1,8 +/- 0.1В•ВДДК = 1,8 +/- 0.1В Все входы и выходы совместимы с интерфейсом ССТЛ_18 8 банков Деятельность входных ... Read More

2018-09-26 17:02:43

Китай Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд завод

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд
Contact Now

ВСПЫШКА 512М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 63ВФБГА обломока МС30ЛФ1208АА-СКИ ИК НАНД флэш-памяти Основное описание: Флэш-память серии 3,6 в 512 Мбит МС30ЛФ (64 бита) м кс 8 НАНД - ВФБГА-63 Мфр Парт#: МС30ЛФ1208АА-СКИ Способ уст... Read More

2018-09-26 16:40:54

Китай Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик завод

Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик
Contact Now

ПАРАЛЛЕЛЬ 63ВФБГА вспышки 2Г обломока МС30ЛФ2Г18АК-СКИ ИК Нанд флэш-памяти Серия МС30ЛФкс 2 Гб (256 м кс 8) флэш-память НАНД держателя поверхности 3,6 в - ВФБГА-63 Мфр Парт#: МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Способ установки: ... Read More

2018-09-26 16:53:22

Китай Обломок флэш-памяти большой емкости ТК58БИГ1С3ХБАИ6, привод 67ВФБГА вспышки 2гб Нанд завод

Обломок флэш-памяти большой емкости ТК58БИГ1С3ХБАИ6, привод 67ВФБГА вспышки 2гб Нанд
Contact Now

ПАРАЛЛЕЛЬ 67ВФБГА ВСПЫШКИ 2Г обломока ТК58БИГ1С3ХБАИ6 ИК флэш-памяти он ТК58БИГ1С3ХБАИ6 одиночное 1.8В 2 Гбит (2 214 592 512 бита) НАНД электрически стираемое и Программабле только запоминающее устройство (НАНД ... Read More

2018-09-26 17:05:35

Page 1 of 2|< << 1 2 >> >|