products
Главная страница > Продукция> Микросхема памяти драхмы> ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз

ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз

DRAM Memory Chip MT53B384M64D4NK-062 WT A SDRAM Lpddr4 24Gb ( 384M X 64) 1600MHz
DRAM Memory Chip MT53B384M64D4NK-062 WT A SDRAM Lpddr4 24Gb ( 384M X 64) 1600MHz
Основная информация
Сертификация: ORIGINAL PARTS
Номер модели: ВЕС МТ53Б384М64Д4НК-062: А
Количество мин заказа: 1 пакет
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: пакет подноса, 1600/бокс
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 10К в месяц
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Товар Но.: ВЕС МТ53Б384М64Д4НК-062: А Состояние части: Устарелый
Тип памяти: Испаряющий Пакет: FBGA
Размер памяти: 24ГБ Операционная Температура: -30°К | 85°К (ТК)
Высокий свет:

динамическое оперативное запоминающее устройство

,

оперативная память ик

Характер продукции

 
 
ВЕС микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 драхмы: СДРАМ - мобильная ЛПДДР4 память ИК 24Гб (384М кс 64) 1600МХз
 
Устарение ЭОЛ ПКН Дев ЭОЛ 2/Май/2016 Мулт
 
Атрибуты продукта Выберите все  
Категории Интегральные схемаы (ICs)  
Память  
Изготовитель Микрон Технология Инк.  
Серия -  
Упаковка  Лента & вьюрок (TR)   
Состояние части Устарелый  
Тип памяти Испаряющий  
Формат памяти ДРАХМА  
Технология СДРАМ - Мобильное ЛПДДР4  
Размер запоминающего устройства 24Гб (384М кс 64)  
Тактовая частота 1600МХз  
Напишите время цикла - слово, страницу -  
Интерфейс памяти -  
Напряжение тока - поставка 1.1В  
Рабочая температура -30°К | 85°К (ТК)  
 
Классификации экологических & экспорта:
 
Неэтилированное состояние/состояние РоХС Неэтилированный/РоХС уступчивый
Уровень (MSL) чувствительности влаги 3 (168 часов)
 
Дополнительные ресурсы:
 
Стандартный пакет 1 000
Другие имена ВЕС МТ53Б384М64Д4НК-062: ТР-НД
МТ53Б384М64Д4НК-062ВТ: АТР
 

 

 
 

тег:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Контактная информация
Karen.
Больше Микросхема памяти драхмы
Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Контакт
продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

Контакт
Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Контакт
7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

Контакт
Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

Контакт
МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

Контакт
Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Контакт