Сертификация: | Original Parts |
---|---|
Номер модели: | IS61WV25616BLL-10TLI |
Количество мин заказа: | 1 часть |
Цена: | Negotiation |
Упаковывая детали: | 10cm x 10cm x 5cm |
Время доставки: | 3-5 дней работы |
Условия оплаты: | Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие |
Поставка способности: | 500-2000пкс в месяц |
Товар Но.: | IS61WV25616BLL-10TLI | Тип памяти: | Испаряющий |
---|---|---|---|
формат памяти: | SRAM | Размер памяти: | Размер памяти |
Высокий свет: | Интегральные IC,электронный обломок IC |
ИК ОТКАЛЫВАЕТ обломок ИК памяти СРАМ ИС61ВВ25616БЛЛ-10ТЛИ - асинхронную параллель 10нс ТСОП44 ИК 4Мб памяти
ОСОБЕННОСТИ:
БЫСТРЫЙ ХОД: (ИС61/64ВВ25616АЛЛ/БЛЛ)
• Высокоскоростное время выборки: 8, 10, 20 нс
• Низкая активная сила: 85 мВ (типичное)
• Низкая резервная сила: положение боевой готовности 7 мВ (типичного) КМОС
НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ: (ИС61/64ВВ25616АЛС/БЛС)
• Высокоскоростное время выборки: 25, 35, 45 нс
• Низкая активная сила: 35 мВ (типичное)
• Низкая резервная сила: 0,6 положения боевой готовности мВ (типичных) КМОС
• Одиночное электропитание
—ДД 1.65В в к 2.2В (ИС61ВВ25616Акскс)
—ДД 2.4В в к 3.6В (ИС61/64ВВ25616Бкскс)
• Полностью статическая деятельность: никакие часы или не освежают необходимое
• 3 государственных выхода
• Контроль данных для верхних и более низких байт
• Промышленная и автомобильная поддержка температуры
• Неэтилированное доступное
ОПИСАНИЕ
ИССИ ИС61ВВ25616Акскс/Бкскс и ИС64ВВ25616Бкскс
высокоскоростны, 4 194 304 штосселя бита статических организованного как 262 144 слова 16 битами. Технология КМОС изготовленных усингИССИ высокопроизводительная. Этот сильно надежные про- сесс соединенные с новаторскими методами расчета цепи,
выходы высокопроизводительные и недостатки потребления низкой мощности де-.
Когда КЭ ВЫСОК (отсеиванный), прибор принимает режим ожидания на который диссипацию силы можно уменьшить вниз с уровнями входного сигнала КМОС.
Легкое расширение памяти обеспечено путем использование обломока позволяет и вывести наружу включите входные сигналы, КЭ и ОЭ. Активный НИЗКИЙ УРОВЕНЬ пишет включает сочинительство управлениями (WE) и и чтение памяти. Байт данных позволяет верхнему байту (UB) и более низкому доступу (LB) байта.
ИС61ВВ25616Акскс/Бкскс и ИС64ВВ25616Бкскс упакованы в типе ИИ штыря ТСОП стандарта 44 ДЖЭДЭК и 48 прикалывают мини БГА (6мм кс 8мм).
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)
Символ | Параметр | Условия испытаний | Минимальный. | Макс. | Блок |
ВОХ | Высокое напряжение выхода | ВДД = МИН., ИОХ = – 4,0 мамы | 2,4 | — | В |
ВОЛ | Низшее напряжение выхода | ВДД = МИН., ИОЛ = 8,0 мамы | — | 0,4 | В |
ВИХ | Высокое напряжение входного сигнала | 2 | ВДД + 0,3 | В | |
ВИЛ | Низшее напряжение входного сигнала (1) | – 0,3 | 0,8 | В | |
ИЛИ | Входная утечка | £ В ГНДВДД £ В | – 1 | 1 | µА |
ИЛО | Утечка выхода | ДД £ в £ В ГНДВНЕ, выведенные из строя выходы | – 1 | 1 | µА |
Примечание:
1. ВИЛ (минимальный) = – ДК 0.3В; ВИЛ (минимальный) = – АК 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">
ВИХ (максимальное) = в ДКДД + 0.3В; ВИХ (максимальное) = в АКДД + 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)
Символ | Параметр | Условия испытаний | Минимальный. | Макс. | Блок |
ВОХ | Высокое напряжение выхода | ВДД = МИН., ИОХ = – 1,0 мамы | 1,8 | — | В |
ВОЛ | Низшее напряжение выхода | ВДД = МИН., ИОЛ = 1,0 мамы | — | 0,4 | В |
ВИХ | Высокое напряжение входного сигнала | 2,0 | ВДД + 0,3 | В | |
ВИЛ | Низшее напряжение входного сигнала (1) | – 0,3 | 0,8 | В | |
ИЛИ | Входная утечка | £ В ГНДВДД £ В | – 1 | 1 | µА |
ИЛО | Утечка выхода | ДД £ в £ В ГНДВНЕ, выведенные из строя выходы | – 1 | 1 | µА |
Примечание:
1. ВИЛ (минимальный) = – ДК 0.3В; ВИЛ (минимальный) = – АК 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">
ВИХ (максимальное) = в ДКДД + 0.3В; ВИХ (максимальное) = в АКДД + 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">
ХАРАКТЕРИСТИКИ ДК ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ (над рабочим диапазоном)
Символ | Параметр | Условия испытаний | ВДД | Минимальный. | Макс. | Блок |
ВОХ | Высокое напряжение выхода | ИОХ = -0,1 мамы | 1.65-2.2В | 1,4 | — | В |
ВОЛ | Низшее напряжение выхода | ИОЛ = 0,1 мамы | 1.65-2.2В | — | 0,2 | В |
ВИХ | Высокое напряжение входного сигнала | 1.65-2.2В | 1,4 | ВДД + 0,2 | В | |
ВИЛ (1) | Низшее напряжение входного сигнала | 1.65-2.2В | – 0,2 | 0,4 | В | |
ИЛИ | Входная утечка | £ В ГНДВДД £ В | – 1 | 1 | µА | |
ИЛО | Утечка выхода | ДД £ в £ В ГНДВНЕ, выведенные из строя выходы | – 1 | 1 | µА |
Примечание:
1. ВИЛ (минимальный) = – ДК 0.3В; ВИЛ (минимальный) = – АК 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">
ВИХ (максимальное) = в ДКДД + 0.3В; ВИХ (максимальное) = в АКДД + 2.0В (ширина ИМПа ульс < 10="" ns="">
Параметр | Блок | Блок | Блок |
(2.4В-3.6В) | (3.3В +10%) | (1.65В-2.2В) | |
ИньпутПульсеЛевел | 0Вто3В | 0Вто3В | 0Вто1.8В |
Подъем входного сигнала и времена падения | 1V/ нс | 1V/ нс | 1V/ нс |
АндРеференсеЛевел ИньпутандОутпутТиминг (Реф в) | 1.5В | 1.5В | 0.9В |
ОутпутЛоад | См. диаграммы 1 и 2 | См. диаграммы 1 и 2 | См. диаграммы 1 и 2 |