logo
products
Главная страница > Продукция> ram memory ic
Все продукты
контактные данные
Carol

Номер телефона : +86 13080539285

WhatsApp : +8615111332739

контакт
ключевые слова:

"ram memory ic "

match 24 products
Китай Внешняя 4гб оперативная память ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д (128 слов кс 32биц) ГДДР5 СГАРМ завод

Внешняя 4гб оперативная память ЭДВ4032БАБГ-70-Ф-Д (128 слов кс 32биц) ГДДР5 СГАРМ

контакт
Китай Хранение оперативной памяти микросхемы памяти Х9ККННН8ГТМЛАР-НТД 8гб Лпддр3 ДРАХМЫ для быстрого хода ноутбука завод

Хранение оперативной памяти микросхемы памяти Х9ККННН8ГТМЛАР-НТД 8гб Лпддр3 ДРАХМЫ для быстрого хода ноутбука

контакт
Китай Оперативная память Х9ККННН8ДЖТАЛАР 8Гб для хранения настольных компьютеров ЛПДДР3 БГА178 завод

Оперативная память Х9ККННН8ДЖТАЛАР 8Гб для хранения настольных компьютеров ЛПДДР3 БГА178

контакт
Китай ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик завод

ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

контакт
Китай ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз завод

ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз

контакт
Китай Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3 завод

Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

контакт
Китай Микросхема памяти ГДДР5 СГРАМ 1.5В 170-Пин ФБГА 4Г-Бит 128М кс 32 ДРАХМЫ К4Г41325ФК-ХК03 завод

Микросхема памяти ГДДР5 СГРАМ 1.5В 170-Пин ФБГА 4Г-Бит 128М кс 32 ДРАХМЫ К4Г41325ФК-ХК03

контакт
Китай Микросхема памяти ФБГА170 К4Г10325ФГ-ХК04 1Гб 32Мкс32 ГДДР5 завод

Микросхема памяти ФБГА170 К4Г10325ФГ-ХК04 1Гб 32Мкс32 ГДДР5

контакт
Китай Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКНННБУУМЛХР, Рам памяти 16гб для персонального компьютера ЛПДДР4 БГА200 завод

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКНННБУУМЛХР, Рам памяти 16гб для персонального компьютера ЛПДДР4 БГА200

контакт
Китай Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6 завод

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

контакт
Китай Высокая эффективность держателя поверхности микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 драхмы Х5ТК4Г63КФР-РДК завод

Высокая эффективность держателя поверхности микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 драхмы Х5ТК4Г63КФР-РДК

контакт
Китай Держатель в 200МХз 2,4 до 2,7 поверхности Мбит памяти 256 микросхемы памяти СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ДУ561622ФТП-5 завод

Держатель в 200МХз 2,4 до 2,7 поверхности Мбит памяти 256 микросхемы памяти СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ДУ561622ФТП-5

контакт
1 2