products
Главная страница > Продукция> Микросхема памяти драхмы> продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

8G Denisty Dram Computer Chip SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C Long Lifespan
8G Denisty Dram Computer Chip SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C Long Lifespan
Основная информация
Сертификация: ORIGINAL PARTS
Номер модели: ДДР5 Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К
Количество мин заказа: ТИПСЫ
Цена: Nigotiation
Упаковывая детали: 12км кс 12км кс 5км
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 20 k в месяц
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Но. деталя:: Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К Денисты:: 8G
Орг.: 256М*32 VOL.: 1.35В/1.5В
Реф:: РЭФ. 16К. Пакет:: FCBGA
Условие продуктов:: массовое производство
Высокий свет:

динамическое оперативное запоминающее устройство

,

оперативная память ик

Характер продукции

Микросхема памяти СКХИНИС ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К 256*32

 

 

 

 

 

Технические характеристики изделия:

 
Номер детали.

 

 Вертеп.

 

 Орг.

 

 ВОЛ.

 

 РЭФ.

 

 Скорость

 

 Сила

 

 ПАКЕТ

 

 Состояние продукта

 
Х5ГК4Х24АДЖР 4Гб кс32 1.35В/1.5В РЭФ. 16К. Р0К/Т2К Нормальная сила ФКБГА Массовое производство
Х5ГК4Х24АДЖР 4Гб кс32 1.55В/1.35В РЭФ. 16К. Р4К Нормальная сила ФКБГА Массовое производство
Х5ГК8Х24АДЖР 8Гб кс32 1.35В/1.5В РЭФ. 16К. Р2К/Р0К Нормальная сила ФКБГА Образец клиента
Х5ГК8Х24МДЖР 8Гб кс32 1.35В/1.5В РЭФ. 16К. Р0К/Т2К Нормальная сила ФКБГА Массовое производство
Х5ГК8Х24МДЖР 8Гб кс32 1.35В/1.55В РЭФ. 16К. Р4К Нормальная сила ФКБГА Массовое производство

 

8Гб
256Мкс32
8.0Гбпс:
Х5ГК8Х24МДЖР-Р4К:
ФБГА (170балл)
16Банк, 1.55В/1.55В
7.0Гбпс
Х5ГК8Х24МДЖР-Р0К:
ФБГА (170балл)
16Банк, 1.5В/1.5В
6.0Гбпс
16Банк, 1.35В/1.35В
6.0Гбпс
Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К:
ФБГА (170балл)
16Банк, 1.5В/1.5В
5.0Гбпс
16Банк, 1.35В/1.35В
4Гб
128Мкс32
8.0Гбпс
Х5ГК4Х24АДЖР-Р4К:
ФБГА (170балл)
16Банк, 1.55В/1.55В
7.0Гбпс
Х5ГК4Х24АДЖР-Р0К:
ФБГА (170балл)
16Банк, 1.5В/1.5В
6.0Гбпс
16Банк, 1.35В/1.35В
6.0Гбпс
Х5ГК4Х24АДЖР-Т2К:
ФБГА (170балл)
16Банк, 1.5В/1.5В
5.0Гбпс
16Банк, 1.35В/1.35В
 

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная 0

тег:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Контактная информация
Sales Manager
Больше Микросхема памяти драхмы
Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Контакт
продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

Контакт
Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Контакт
7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

Контакт
Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

Контакт
МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

Контакт
Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Контакт