Name: Микросхема памяти драхмы Д1216МКАБСГГБС 128М * 16 ПК1600 БГА96 НЕЭТИЛИРОВАННЫХ - поверхностный держатель 297
Brand: Микросхема памяти драхмы Д1216МКАБСГГБС 128М * 16 ПК1600 БГА96 НЕЭТИЛИРОВАННЫХ - поверхностный держатель 297
SKU: Д1216МКАБСГГБС
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (171 reviews)

Микросхема памяти драхмы Д1216МКАБСГГБС 128М * 16 ПК1600 БГА96 НЕЭТИЛИРОВАННЫХ - поверхностный держатель 297

D1216MCABXGGBS Dram Memory Chip 128M * 16 PC1600 BGA96 LEAD FREE-297 Surface Mount

Основная информация

Сертификация:	ORIGINAL PARTS
Номер модели:	Д1216МКАБСГГБС

Количество мин заказа:	1 пакет
Цена:	Negotiation
Упаковывая детали:	пакет подноса, 1600/бокс
Время доставки:	3-5 дней работы
Условия оплаты:	Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности:	10К в месяц

Лучшая цена Контакт

Товар Но.:

Д1216МКАБСГГБС

Тип ИК памяти:

DDR3

Пакет:

BGA96

Монтаж:

Поверхностного монтажа

Высокий свет:

компьютерная микросхема драхмы

оперативная память ик

Микросхема памяти драхмы Д1216МКАБСГГБС 128М * 16 ПК1600 БГА96 НЕЭТИЛИРОВАННЫХ - поверхностный держатель 297

компьютерная микросхема драхмы

оперативная память ик

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200