logo
products
Главная страница > Продукция> Микросхема памяти драхмы> Микросхема памяти К4Б4Г1646Э-БИК0 ДРАХМЫ - ДДР3Л СДРАМ 1.5В 96-Пин ФБГА 4Гбит 256М кс 16 Мбпс 1600

Микросхема памяти К4Б4Г1646Э-БИК0 ДРАХМЫ - ДДР3Л СДРАМ 1.5В 96-Пин ФБГА 4Гбит 256М кс 16 Мбпс 1600

DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M X 16 1.5V 96-Pin FBGA 1600 Mbps
Основная информация
Сертификация: Original Parts
Номер модели: К4Б4Г1646Э-БИК0
Количество мин заказа: 1 пакет
Цена: negotiable
Упаковывая детали: 10cm x 10cm x 5cm
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 60000pcs в месяц
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Номер товара: К4Б4Г1646Э-БИК0 Скорость: Мбпс 1600
состояние продукта: массовое производство Плотность: 4GB
Орг.: 512М кс 8 Пакет: BGA96
Выделить:

динамическое оперативное запоминающее устройство

,

оперативная память ик

Характер продукции

Микросхема памяти К4Б4Г1646Э-БИК0 ДРАХМЫ - ДДР3Л СДРАМ 4Гбит 256Мкс16 1.5В 96-Пин ФБГА

 

Оно было начат в 2005, ДДР3 Самсунг индустри-первое использовать решение системы, от ПК и бытовых техник, к автомобильному и медицинским службам.

 

 

Спецификации

Плотность 4Гб Орг. 512М кс 8
Скорость Мбпс 1600 Напряжение тока 1,35 в
Темп. 0 | °К 85 Пакет 96ФБГА
Состояние продукта Массовое производство  

тег:

dynamic random access memory,

ram memory ic,

dram computer chip

Контактная информация
Karen.
Больше Микросхема памяти драхмы
Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Контакт
продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

Контакт
Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Х5ТК4Г63КФР - модуль драхмы микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 ДРАХМЫ ПБАР ДДР3

Контакт
7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

7,0 быстро пройдите плотность микросхемы памяти К4Г80325ФБ-ХК28 ГДДР5 256Ккс32-28 БГА 8Г ДРАХМЫ Гбпс

Контакт
Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

Память Дениты 256С32М К4З80325БК-ХК16 ФБГА САМСУНГ 8Г Рам внутренней памяти ГДДР6

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

ПАРАЛЛЕЛЬ 170ФБГА микросхемы памяти ДРАХМЫ компьютера МТ51ДЖ256М32ХФ-80А 8Г, оперативная память Ик

Контакт
МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

МТ51ДЖ256М32ХФ-70 карта Рам 8гб для настольной ПАРАЛЛЕЛИ 170ФБГА РАМ 8Г ИК

Контакт
Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКННН4КММЛХР 4Гб, хранение обломока Рам компьютера ЛПДДР4 БГА200

Контакт