logo
products
Главная страница > Продукция> Микросхема памяти драхмы
Все продукты
контактные данные

Номер телефона : 19166230458

контакт

Самые лучшие продукты

Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Скорость микросхем памяти 8ГБ компьютера Самсунг ГДДР5 256Ккс32-25 К4Г80325ФБ-ХК25 БГА

Запрос сейчас
продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

продолжительность жизни компьютерной микросхемы СКХИНИС драхмы 8Г Денисты ГДДР5 СДРАМ Х5ГК8Х24МДЖР-Т2К длинная

Запрос сейчас

Микросхема памяти драхмы

Держатель в 200МХз 2,4 до 2,7 поверхности Мбит памяти 256 микросхемы памяти СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ДУ561622ФТП-5

Держатель в 200МХз 2,4 до 2,7 поверхности Мбит памяти 256 микросхемы памяти СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ДУ561622ФТП-5

контакт
Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКНННБУУМЛХР, Рам памяти 16гб для персонального компьютера ЛПДДР4 БГА200

Микросхема памяти ДРАХМЫ Х9ХКНННБУУМЛХР, Рам памяти 16гб для персонального компьютера ЛПДДР4 БГА200

контакт
Хранение оперативной памяти микросхемы памяти Х9ККННН8ГТМЛАР-НТД 8гб Лпддр3 ДРАХМЫ для быстрого хода ноутбука

Хранение оперативной памяти микросхемы памяти Х9ККННН8ГТМЛАР-НТД 8гб Лпддр3 ДРАХМЫ для быстрого хода ноутбука

контакт
Микросхема памяти 512Мб ДДР2 СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ПС12821КФП-К4-К

Микросхема памяти 512Мб ДДР2 СДРАМ ДРАХМЫ ХИ5ПС12821КФП-К4-К

контакт
Хранение памяти микросхемы памяти К4Б4Г1646Э-БКМА 4гб Ддр3 1866мхз 512МБ ДРАХМЫ

Хранение памяти микросхемы памяти К4Б4Г1646Э-БКМА 4гб Ддр3 1866мхз 512МБ ДРАХМЫ

контакт
Микросхема памяти ДРАХМЫ, хранение микросхемы памяти К3РГ3Г30ММ-МГКХ 3гб Лпддр3

Микросхема памяти ДРАХМЫ, хранение микросхемы памяти К3РГ3Г30ММ-МГКХ 3гб Лпддр3

контакт
Микросхема памяти К4Б4Г1646Э-БИК0 ДРАХМЫ - ДДР3Л СДРАМ 1.5В 96-Пин ФБГА 4Гбит 256М кс 16 Мбпс 1600

Микросхема памяти К4Б4Г1646Э-БИК0 ДРАХМЫ - ДДР3Л СДРАМ 1.5В 96-Пин ФБГА 4Гбит 256М кс 16 Мбпс 1600

контакт
Микросхема памяти ГДДР5 СГРАМ 1.5В 170-Пин ФБГА 4Г-Бит 128М кс 32 ДРАХМЫ К4Г41325ФК-ХК03

Микросхема памяти ГДДР5 СГРАМ 1.5В 170-Пин ФБГА 4Г-Бит 128М кс 32 ДРАХМЫ К4Г41325ФК-ХК03

контакт
ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз

ВЕС а СДРАМ Лпддр4 24Гб микросхемы памяти МТ53Б384М64Д4НК-062 ДРАХМЫ (384М кс 64) 1600МХз

контакт
Высокая эффективность держателя поверхности микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 драхмы Х5ТК4Г63КФР-РДК

Высокая эффективность держателя поверхности микросхемы памяти 256МС16 КМОС ПБГА96 драхмы Х5ТК4Г63КФР-РДК

контакт
Микросхема памяти ФБГА170 К4Г10325ФГ-ХК04 1Гб 32Мкс32 ГДДР5

Микросхема памяти ФБГА170 К4Г10325ФГ-ХК04 1Гб 32Мкс32 ГДДР5

контакт
1 2