products
Главная страница > Продукция> Обломок флэш-памяти> Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

TC58NVG0S3HBAI4 Flash Memory Chip , IC Flash Storage Chip 1G PARALLEL 63TFBGA
TC58NVG0S3HBAI4 Flash Memory Chip , IC Flash Storage Chip 1G PARALLEL 63TFBGA TC58NVG0S3HBAI4 Flash Memory Chip , IC Flash Storage Chip 1G PARALLEL 63TFBGA
Основная информация
Сертификация: Original Parts
Номер модели: ТК58НВГ0С3ХБАИ4
Количество мин заказа: 1 часть
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: 10cm x 10cm x 5cm
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 500-2000пкс в месяц
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Деталь Numbe: ТК58НВГ0С3ХБАИ4 Denisty: 1Гб (128М кс 8)
Категория продуктов: Память & флэш-память Интерфейс памяти: Параллель
Вольт.: 2,7 V | 3,6 V Технологии: ВСПЫШКА - НАНД (ТЛК)
Temp.: -40°К | 85°К (ЖИВОТИКИ) Пакет: BGA63
Высокий свет:

обломок ic флэш-память

,

обломок регулятора флэш-память

Характер продукции

ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА ВСПЫШКИ 1Г обломока ТК58НВГ0С3ХБАИ4 ИК флэш-памяти

 

Категории Интегральные схемаы (ICs)  
Память  
Изготовитель Тошиба Память Америка, Инк.  
Серия -  
Упаковка  Поднос   
Состояние части Активный  
Тип памяти Слаболетучий  
Формат памяти ВСПЫШКА  
Технология ВСПЫШКА - НАНД (СЛК)  
Размер запоминающего устройства 1Гб (128М кс 8)  
Напишите время цикла - слово, страницу 25нс  
Время выборки 25нс  
Интерфейс памяти Параллель  
Напряжение тока - поставка 2,7 В | 3,6 В  
Рабочая температура -40°К | 85°К (ЖИВОТИКИ)  
Тип установки Поверхностный держатель  
Пакет/случай 63-ВФБГА  
Пакет прибора поставщика 63-ТФБГА (9кс11)

 

 

Особенность:

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная 0

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная 1

тег:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Контактная информация
Karen.
Больше Обломок флэш-памяти
Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

Контакт
Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Контакт
Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Контакт
Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Контакт
Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Контакт
Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Контакт
Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик

Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик

Контакт