products
Главная страница > Продукция> Обломок флэш-памяти> Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Mt29f2g08abaeah4-It E Ic 2gb Parallel Nand Flash Memory 63vfbga 2.7 V ~ 3.6 V
Mt29f2g08abaeah4-It E Ic 2gb Parallel Nand Flash Memory 63vfbga 2.7 V ~ 3.6 V
Основная информация
Сертификация: Original Parts
Номер модели: MT29F2G08ABAEAH4-IT: E
Количество мин заказа: 1260ПКС/БОС
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: 10cm x 10cm x 5cm
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 10К в месяц
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Деталь Numbe: MT29F2G08ABAEAH4-IT: E Denisty: 2Гб (256М кс 8)
Категория продуктов: Память & флэш-память Интерфейс памяти: Параллель
Вольт.: 2,7 V | 3,6 V Технологии: ВСПЫШКА - НАНД (ТЛК)
Temp.: -40°К | 85°К (ЖИВОТИКИ) Пакет: 63-ВФБГА
Высокий свет:

обломок ic флэш-память

,

обломок регулятора флэш-память

Характер продукции

ВСПЫШКА 512М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 63ВФБГА обломока МС30ЛФ1208АА-СКИ ИК НАНД флэш-памяти

 

Технические данные продукта

ЕС РоХС Уступчивый
ЭККН (США) 3А991.б.1.а
Тип клетки СЛК НАНД
(Сдержанная) плотность обломока 2Г
Архитектура Секторед
Блок ботинка Да
Организация блока Симметричный
(Сдержанная) ширина адресной шины 29
Размер участка 128Кбыте кс 2048
Размер страницы 2Кбыте
Количество битов/(сдержанное) слово 8
Количество слов 256М
Программируемость Да
Тип времени Асинхронный
Максимальное время стирания (с) 0.003/Блок
Время максимума программируя (госпожа) 0.6/Паге
Тип интерфейса Параллель
Подача напряжения минимума работая (в) 2,7
Типичная работая подача напряжения (в) 3,3
Подача напряжения максимума работая (в) 3,6
Рабочий ток (мамы) 35
Течение программы (мамы) 35
Минимальная рабочая температура (°К) -40
Максимальная рабочая температура (°К) 85
Ранг температуры поставщика Промышленный
Команда совместимая Нет
Поддержка ЭКК Да
Стирание приостанавливают/поддержка режимов резюма Нет
Прочитанные одновременные/пишут поддержку Нет
Поддержка общего внезапного интерфейса Нет
Поддержка режима страницы Да
Минимальная выносливость (циклы) 100000 (тип)
Упаковка Поднос
Пакет поставщика ВФБГА
Имя стандартного пакета БГА
Отсчет Пин 63
Устанавливать Поверхностный держатель
Высота пакета 1 (Макс) - 0,25 (минута)
Длина пакета 11
Ширина пакета 9
Измененный ПКБ 63
Форма руководства Шарик

 

Особенность:

 

 

 

 

 

тег:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Контактная информация
Karen.
Больше Обломок флэш-памяти
Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

Контакт
Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Контакт
Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Контакт
Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Контакт
Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Контакт
Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Контакт
Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик

Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик

Контакт