logo
products
Главная страница > Продукция> nand type flash memory
Все продукты
контактные данные
Carol

Номер телефона : +86 13080539285

WhatsApp : +8615111332739

контакт
ключевые слова:

"nand type flash memory "

match 19 products
Китай Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик завод

Тип индустрия безопасностью 2г флэш-памяти 63вфбга Нанд параллели МС30ЛФ2Г18АК-СКИ Ик

контакт
Китай Обломок флэш-памяти большой емкости ТК58БИГ1С3ХБАИ6, привод 67ВФБГА вспышки 2гб Нанд завод

Обломок флэш-памяти большой емкости ТК58БИГ1С3ХБАИ6, привод 67ВФБГА вспышки 2гб Нанд

контакт
Китай Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд завод

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

контакт
Китай Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА завод

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

контакт
Китай Обломок флэш-памяти В9725Г6ДЖБ25И-НД, ПАРАЛЛЕЛЬ 84ВБГА ДРАХМЫ 256мб Нанд ИК внезапная завод

Обломок флэш-памяти В9725Г6ДЖБ25И-НД, ПАРАЛЛЕЛЬ 84ВБГА ДРАХМЫ 256мб Нанд ИК внезапная

контакт
Китай Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности завод

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

контакт
Китай Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный завод

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный

контакт
Китай Индустрия 84ВБГА 400МХз флэш-памяти 512Мб микросхемы ПАРАЛЛЕЛИ ДРАХМЫ В9751Г6КБ-25 ИК завод

Индустрия 84ВБГА 400МХз флэш-памяти 512Мб микросхемы ПАРАЛЛЕЛИ ДРАХМЫ В9751Г6КБ-25 ИК

контакт
Китай Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16 завод

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

контакт
Китай Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное завод

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

контакт
Китай Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд завод

Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд

контакт
Китай Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в завод

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

контакт
1 2