logo
products
Главная страница > Продукция> Обломок флэш-памяти> Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд

Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд

K4W4G1646E-BC1A 4G Flash Memory Chip , Graphic Nand Flash Module GDDR3 256Mx16
K4W4G1646E-BC1A 4G Flash Memory Chip , Graphic Nand Flash Module GDDR3 256Mx16 K4W4G1646E-BC1A 4G Flash Memory Chip , Graphic Nand Flash Module GDDR3 256Mx16
Основная информация
Сертификация: ORIGINAL PARTS
Номер модели: К4В4Г1646Э-БК1А
Количество мин заказа: 1 шт
Цена: negotiable
Упаковывая детали: пакет подноса, 1120пкс/Бокс
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 11200пкс
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Товар Но.: К4В4Г1646Э-БК1А Категория: ДРАХМА
класс: График ГДР Описание: ГДДР3 256Мкс16
Пакет: 96-ФКФБГА Плотность: 4g
Выделить:

тип флэш-память нанд

,

обломок регулятора флэш-память

Характер продукции

Внезапный обломок К4В4Г1646Э-БК1А Меморры, графическая память ГДДР3 256Мкс16 4Г

 

Категория ДРАХМА
Класс График ГДР
Описание ГДДР3 256Мкс16
Номер детали. К4В4Г1646Э-БК1А
Бренд Самсунг

 

Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд 0

тег:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Контактная информация
Karen.
Больше Обломок флэш-памяти
Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

Контакт
Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Контакт
Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Контакт
Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Контакт
Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Контакт
Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Контакт
Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Контакт