Name: Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд
Brand: Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд
SKU: К4В4Г1646Э-БК1А
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (114 reviews)

Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд

K4W4G1646E-BC1A 4G Flash Memory Chip , Graphic Nand Flash Module GDDR3 256Mx16

Основная информация

Сертификация:	ORIGINAL PARTS
Номер модели:	К4В4Г1646Э-БК1А

Количество мин заказа:	1 шт
Цена:	Negotiation
Упаковывая детали:	пакет подноса, 1120пкс/Бокс
Время доставки:	3-5 дней работы
Условия оплаты:	Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности:	11200пкс

Лучшая цена Контакт

Товар Но.:

К4В4Г1646Э-БК1А

Категория:

ДРАХМА

класс:

График ГДР

Описание:

ГДДР3 256Мкс16

Пакет:

96-ФКФБГА

Плотность:

Высокий свет:

тип флэш-память нанд

обломок регулятора флэш-память

Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд

тип флэш-память нанд

обломок регулятора флэш-память

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Категория	ДРАХМА
Класс	График ГДР
Описание	ГДДР3 256Мкс16
Номер детали.	К4В4Г1646Э-БК1А
Бренд	Самсунг