products
Главная страница > Продукция> Обломок флэш-памяти> Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

W9712G6KB-25 IC DRAM 128mb Nand Flash Memory Security In Embedded System 84TFBGA
W9712G6KB-25 IC DRAM 128mb Nand Flash Memory Security In Embedded System 84TFBGA W9712G6KB-25 IC DRAM 128mb Nand Flash Memory Security In Embedded System 84TFBGA
Основная информация
Сертификация: Original Parts
Номер модели: В9712Г6КБ-25
Количество мин заказа: 1 упаковщик
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: 10cm x 10cm x 5cm
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 6000pcs в месяц
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Деталь Numbe: В9712Г6КБ-25 Категория продуктов: Память & флэш-память
Емкость запоминающего устройства: 128Мб (8М кс 16) Частота: 200MHz
Вольт: 1,7 В | 1,9 В Технологии: СДРАМ - ДДР2
Temp.: 0°К | 85°К (ТК) Пакет: BGA84
Высокий свет:

тип флэш-память нанд

,

обломок ic флэш-память

Характер продукции

Обломок В9712Г6КБ-25 флэш-памяти, ДРАХМА 128М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84ТФБГА ИК

 

 

Технические данные продукта

ЕС РоХС Уступчивый
ЭККН (США) ЭАР99
Тип ДРАХМЫ ДДР2 СДРАМ
(Сдержанная) плотность обломока 128М
Организация 8Мкс16
Количество внутренних банков 4
Количество слов в банк 2М
Количество битов/(сдержанное) слово 16
(Сдержанная) ширина шины данных 16
Максимальное время выборки (нс) 0,4
(Сдержанная) ширина адресной шины 15
Тип интерфейса ССТЛ_18
Подача напряжения минимума работая (в) 1,7
Типичная работая подача напряжения (в) 1,8
Подача напряжения максимума работая (в) 1,9
Рабочий ток (мамы) 135
Минимальная рабочая температура (°К) 0
Максимальная рабочая температура (°К) 85
Номер И/О выравнивается (сдержанный) 16
Пакет поставщика ТФБГА
Имя стандартного пакета БГА
Отсчет Пин 84
Устанавливать Поверхностный держатель
Высота пакета 0,8 (Макс)
Длина пакета 12,5
Ширина пакета 8
Измененный ПКБ 84
Форма руководства Шарик

 

 

Особенность:

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА 0

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА 1

 

 

тег:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Контактная информация
Karen.
Больше Обломок флэш-памяти
Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

Контакт
Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Контакт
Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Контакт
Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Контакт
Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Контакт
Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Контакт
Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Контакт