products
Главная страница > Продукция> Обломок флэш-памяти> Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный

W631gg6kb-12 Ic Dram Secure Parallel Flash Memory Controller Chip 1g 96wbga
W631gg6kb-12 Ic Dram Secure Parallel Flash Memory Controller Chip 1g 96wbga
Основная информация
Сертификация: Original Parts
Номер модели: W631GG6KB-12
Количество мин заказа: 1 пакет
Цена: Negotiation
Упаковывая детали: 10cm x 10cm x 5cm
Время доставки: 3-5 дней работы
Условия оплаты: Т/Т, ПайПал, западное соединение, Эскров и другие
Поставка способности: 6000pcs в месяц
Лучшая цена Контакт
Подробная информация
Деталь Numbe: W631GG6KB-12 Категория продуктов: Память & флэш-память
Емкость запоминающего устройства: 1Г-Бит (64Мкс16) Частота: 800MHZ
Вольт: 1,425 В | 1,575 В Технологии: СДРАМ - ДДР2
Temp.: 0°К | 85°К (ТК) Пакет: BGA96
Высокий свет:

тип флэш-память нанд

,

обломок ic флэш-память

Характер продукции

Обломок В631ГГ6КБ-12 флэш-памяти, ПАРАЛЛЕЛЬ 96ВБГА ДРАХМЫ 1Г ИК

 

 

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный 0

Обломок ДРАХМЫ ДДР3 СДРАМ 1Гбит 64Мкс16 1.5В 96-Пин ВБГА

Технические данные продукта

ЕС РоХС Уступчивый
ЭККН (США) ЭАР99
Тип ДРАХМЫ ДДР3 СДРАМ
(Сдержанная) плотность обломока 1Г
Организация 64Мкс16
Количество внутренних банков 8
Количество слов в банк 8М
Количество битов/(сдержанное) слово 16
(Сдержанная) ширина шины данных 16
Максимальный ход часов (МХз) 1600
(Сдержанная) ширина адресной шины 16
Подача напряжения минимума работая (в) 1,425
Типичная работая подача напряжения (в) 1,5
Подача напряжения максимума работая (в) 1,575
Рабочий ток (мамы) 280
Минимальная рабочая температура (°К) 0
Максимальная рабочая температура (°К) 85
Номер И/О выравнивается (сдержанный) 16
Пакет поставщика ВБГА
Имя стандартного пакета БГА
Отсчет Пин 96
Устанавливать Поверхностный держатель
Высота пакета 0,8 (Макс)
Длина пакета 13
Ширина пакета 9
Измененный ПКБ 96
Форма руководства Шарик

 

 

Особенность:

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный 1

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный 2

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный 3

 

 

 

 

тег:

flash memory ic chip,

nand type flash memory,

flash memory controller chip

Контактная информация
Karen.
Больше Обломок флэш-памяти
Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Обломок флэш-памяти ТХГБМ5Г5А1ДЖБА1Р, хранение флэш-памяти БГА-153 4гб Нанд новое первоначальное

Контакт
ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

ПАРАЛЛЕЛЬ 166МХЗ обломока 2Г флэш-памяти РАМ МТ29К2Г48МАКЛКДЖИ-6ИТ-НД ИК высокоскоростная

Контакт
Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Флэш-память 63вфбга 2,7 в Нанд параллели Мт29ф2г08абаэах4-Ит е Ик 2гб | 3,6 в

Контакт
Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Обломок флэш-памяти ТК58НВГ0С3ХБАИ4, ПАРАЛЛЕЛЬ 63ТФБГА обломока 1Г хранения ИК внезапная

Контакт
Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Обломок 64Мкс16 БГА84 В971ГГ6ДЖБ-18 ИК СДРАМ ДДР2 Ик флэш-памяти низкой мощности

Контакт
Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Чип контроллера вспышки К9Ф5608УОД-ПКБО Нанд флэш-память НАНД бита 32М кс 8 бит 16М кс 16

Контакт
Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Обломок 128МС8 0.4нс КМОС ПБГА60 флэш-памяти ДРАХМЫ ХИ5ПС1Г831КФП-С6 ГДР мобильный

Контакт
Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Параллель 63вфбга модуля флэш-памяти МС30ЛФ1208АА-СКИ Ик съемная 512мб Нанд

Контакт