Обломок флэш-памяти большой емкости ТК58БИГ1С3ХБАИ6, привод 67ВФБГА вспышки 2гб Нанд

он ТК58БИГ1С3ХБАИ6 одиночное 1.8В 2 Гбит (2 214 592 512 бита) НАНД электрически стираемое и Программабле только запоминающее устройство (НАНД Э2ПРОМ) организованное как (2048 + 64) × 2048блокс страниц × 64 байт. Прибор имеет регистр 2112 байт статический который позволяет программе и прочитанным данным, который нужно возвратить между регистром и массивом ячейки памяти в 2112 инкрементах байт. Деятельность стирания снабжена в одиночном блоке блока (128 кбайтах + 4 кбайта: 2112 страницы × 64 байт).

ТК58БИГ1С3ХБАИ6 типа сериал запоминающее устройство которое использует штыри И/О том, как для адреса, так и для вход-выхода данных так же, как для входных сигналов команды. Деятельность стирания и программы автоматически исполнена делая прибор самым соответствующим для применений как полупроводниковая память файла, запись голоса, память графического файла для фотоаппаратов и другие системы которые требуют хигх-денситы хранения данных слаболетучей памяти.

ТК58БИГ1С3ХБАИ6 имеет логику ЭКК на обломоке и ошибки считывания 8бит для каждого 528Бытес можно исправиться внутренне

Технические атрибуты