Управление целостности, солидарность и взаимные помощь, нововведение и изменение, прагматизм и эффективность.

Главная страница
продукты
О нас
Экскурсия по заводу
Качество управления
связаться с нами
Отправить запрос
Главная страница Продукция

Обломок флэш-памяти

хорошее качество Процессоры К.П.У. ноутбука для сбываний
Хороший поставщик и хорошее качество. Надежда мы можем объединить следующее время!

—— Технология Самуал-Делке

все части хороши. спасибо.

—— Пантелеев Валера

части 100% новое! Супер!

—— 정훈 공 - Конг

К.П.У., НАБОР МИКРОСХЕМ хорошее квлиты и хорошая цена.

—— Генри Tan

Оставьте нам сообщение

Обломок флэш-памяти

(16)
Китай Дюйм 7мм хранения 2,5 обломока Бга132 флэш-памяти Тх58тег9ддкба8х 64гб Нанд завод

Дюйм 7мм хранения 2,5 обломока Бга132 флэш-памяти Тх58тег9ддкба8х 64гб Нанд

Обломок ТХ58ТЭГ9ДДКБА8Х флэш-памяти, ХРАНЕНИЕ 64Г Нанд БГА132 Деталь Нумбе: ТХ58ТЭГ9ДДКБА8Х Изготовление: Тошиба Категория продуктов: Память & флэш-память Форм-фактор: 2,5 дюйма Хайгх: 7мм Тип памяти: ВСПЫШКА - ... Подробнее
2018-09-26 17:30:30
Китай Индустрия 84ВБГА 400МХз флэш-памяти 512Мб микросхемы ПАРАЛЛЕЛИ ДРАХМЫ В9751Г6КБ-25 ИК завод

Индустрия 84ВБГА 400МХз флэш-памяти 512Мб микросхемы ПАРАЛЛЕЛИ ДРАХМЫ В9751Г6КБ-25 ИК

ДРАХМА 512М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84ВБГА обломока В9751Г6КБ-25 ИК флэш-памяти Технические данные продукта ЕС РоХС Уступчивый ЭККН (США) ЭАР99 Тип ДРАХМЫ ДДР2 СДРАМ (Сдержанная) плотность обломока 512М Организация 32Мк... Подробнее
2018-09-26 16:57:37
Китай Обломок флэш-памяти В9725Г6ДЖБ25И-НД, ПАРАЛЛЕЛЬ 84ВБГА ДРАХМЫ 256мб Нанд ИК внезапная завод

Обломок флэш-памяти В9725Г6ДЖБ25И-НД, ПАРАЛЛЕЛЬ 84ВБГА ДРАХМЫ 256мб Нанд ИК внезапная

Обломок В9725Г6ДЖБ25И-НД флэш-памяти, ДРАХМА 256М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84ВБГА ИК Основные черты Тип ДДР2 СДРАМ Организация кс16 Скорость 400 МХз Напряжение тока 1,8 в Пакет ВБГА-84 Описание: В9725Г6ДЖБ биты ДДР2 СДРАМ ... Подробнее
2018-09-26 16:47:38
Китай Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный завод

Чип контроллера 1г 96вбга флэш-памяти драхмы В631г6кб-12 Ик безопасный параллельный

Обломок В631ГГ6КБ-12 флэш-памяти, ПАРАЛЛЕЛЬ 96ВБГА ДРАХМЫ 1Г ИК Обломок ДРАХМЫ ДДР3 СДРАМ 1Гбит 64Мкс16 1.5В 96-Пин ВБГА Технические данные продукта ЕС РоХС Уступчивый ЭККН (США) ЭАР99 Тип ДРАХМЫ ДДР3 СДРАМ (Сд... Подробнее
2018-09-26 17:36:01
Китай Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА завод

Безопасность флэш-памяти ДРАХМЫ 128мб Нанд В9712Г6КБ-25 ИК в врезанной системе 84ТФБГА

Обломок В9712Г6КБ-25 флэш-памяти, ДРАХМА 128М ПАРАЛЛЕЛЬНОЕ 84ТФБГА ИК Технические данные продукта ЕС РоХС Уступчивый ЭККН (США) ЭАР99 Тип ДРАХМЫ ДДР2 СДРАМ (Сдержанная) плотность обломока 128М Организация 8Мк... Подробнее
2018-09-26 16:54:40
Китай Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд завод

Обломок флэш-памяти К4В4Г1646Э-БК1А 4Г, графический модуль ГДДР3 256Мкс16 вспышки Нанд

Внезапный обломок К4В4Г1646Э-БК1А Меморры, графическая память ГДДР3 256Мкс16 4Г Категория ДРАХМА Класс График ГДР Описание ГДДР3 256Мкс16 Номер детали. К4В4Г1646Э-БК1А Бренд Самсунг ... Подробнее
2018-09-26 16:44:55
Page 2 of 2|< 1 2 >|